Control multizona de alta precisión
Aproveche el sistema de control inteligente para lograr un control centralizado remoto
Alto rendimiento, alta estabilidad y utilización óptima del espacio
Soluciones personalizadas disponibles

El horno de crecimiento de cristales para materiales de silicio es una pieza crítica del equipo para el crecimiento de lingotes de mono-Si de alta pureza y alta calidad. Normalmente utiliza el método Czochralski para crecer lingotes de mono-Si. Funde los materiales de silicio a través del calentador de grafito en una atmósfera inerte y luego sumerge la semilla en la masa fundida de silicio. Al controlar con precisión la velocidad de elevación/rotación de la semilla y la velocidad de elevación/rotación del crisol, los átomos de silicio se disponen de forma ordenada, capa por capa, sobre la semilla, creciendo así lingotes de mono-Si sin dislocaciones. Cuenta con ventajas técnicas como un diseño de gran diámetro, un control preciso de la temperatura y un control automático; el diámetro de los lingotes cultivados varía de Φ360 a Φ600 mm, con una longitud mínima de 2 m.