La técnica de metalización mejorada por láser (LEM) puede reducir significativamente la resistencia de contacto entre el silicio y los electrodos en las celdas TOPCon, lo que genera un mayor voltaje de circuito abierto y un mayor factor de llenado y mejora la eficiencia de las celdas.
CT
0.7s a 182*182 celdas
Gran mejora de la eficiencia de las celdas tipo N (TOPCon: 0,2-0,5%)
Fuerte compatibilidad: adecuado para celdas de 18x~230;
Gran mejora de eficiencia:
la técnica de escaneo de grandes puntos cuadrados contribuye a un gran aumento de la eficiencia de la celda.
Fuerte compatibilidad
cambio rápido para celdas de 18X~230.
Alta capacidad
el galvo de alta velocidad permite un escaneo rápido y un tiempo de ciclo extremadamente corto.